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內(nèi)存是計算機體系結(jié)構(gòu)的重要組成部分。 存儲器是用于存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的組件。 有了存儲器，計算機才有記憶功能。 半導(dǎo)體存儲器的基本類型如右圖所示：
根據(jù)存儲介質(zhì)的特性，存儲器主要分為“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩大類。 其中，“易失性/非易失性”是指斷電后存儲器中存儲的數(shù)據(jù)內(nèi)容是否會丟失的特性。 由于易失性存儲器通常具有很快的存取速率，而非易失性存儲器可以保存數(shù)據(jù)很多年，因此它們都在計算機中發(fā)揮著重要作用。 計算機中易失性存儲的最典型代表是顯存，非易失性存儲的代表是硬盤。
內(nèi)存
RAM是“ ”的縮寫，翻譯為隨機存取存儲器。所謂“隨機存取”是指
當(dāng)讀取或?qū)懭雰?nèi)存中的一條消息時，所需要的時間與這條信息的位置無關(guān)。這個詞的由來是由于
在計算機的早期，磁鼓被用作存儲，磁鼓是順序讀寫設(shè)備，而RAM可以在其內(nèi)部的任何地址讀取。
數(shù)據(jù)、時間都是一樣的，因此得名。事實上，RAM很早就被用來專指易失性存儲器作為計算機存儲器。
永久半導(dǎo)體存儲器。
根據(jù)RAM的存儲機制，分為動態(tài)隨機存儲器DRAM（RAM）和靜態(tài)隨機存儲器
SRAM (RAM) 有兩種類型。
動態(tài)隨機存取存儲器
動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的存儲單元通過電容的充電來代表數(shù)據(jù)，充電代表1，不充電代表0，參見
圖 DRAM 存儲單元。但是隨著時間的推移，代表 1 的電容會放電，代表 0 的電容會吸收電荷，所以需要
該操作會定期刷新，這就是“()”這個詞所描述的。刷新操作將檢測電容，如果
如果功率小于滿功率的1/2，則認(rèn)為代表1，電容已充滿； 如果冪大于1/2，則認(rèn)為代表0，并且
對電容進(jìn)行放電，保證數(shù)據(jù)的正確性。
內(nèi)存
根據(jù)DRAM的通信形式，分為同步和異步兩種。 這兩種形式取決于通信是否需要時鐘信號。
數(shù)字來區(qū)分。圖同步通信時序圖是與時鐘同步的通信時序，表示時鐘上升沿有信號
有效數(shù)據(jù)。
由于使用時鐘同步的通信速率更快，因此同步DRAM得到更廣泛的應(yīng)用。 這些 DRAM 稱為
內(nèi)存（DRAM）。
DDR內(nèi)存
為了進(jìn)一步提高SDRAM的通信速率，人們設(shè)計了DDR SDRAM存儲器（
SDRAM）。其存儲特性與SDRAM相同，但SDRAM僅在上升沿指示有效數(shù)據(jù)。
一個時鐘周期內(nèi)只能表示一個數(shù)據(jù)； 并且在時鐘的上升沿和增長沿表示一個數(shù)據(jù)，
也就是說，一個時鐘周期就可以表示2位數(shù)據(jù)，在時鐘頻率相同的情況下，速度提高一倍。
至于DDRII和DDRII，它們的通信形式?jīng)]有區(qū)別，主要是通信同步時鐘的頻率得到了增強。
個人計算機最常用的視頻記憶棒是 SDRAM 內(nèi)存，它包含多個
SDRAM 芯片。
靜態(tài)隨機存儲器
靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的存儲單元使用鎖存器來存儲數(shù)據(jù)，參見圖中的SRAM存儲單元。這些電路結(jié)構(gòu)
它不需要定期刷新和充電，并且可以保持狀態(tài)（事實上，如果斷電，數(shù)據(jù)仍然會丟失），所以這些存儲設(shè)備
稱為“()”RAM。
同樣，SRAM根據(jù)其通信形式也分為同步（SSRAM）和異步SRAM。 相對而言，異步SRAM使用
更加廣泛。
DRAM和SRAM的應(yīng)用
比較DRAM和SRAM的結(jié)構(gòu)，可以看出DRAM的結(jié)構(gòu)要簡單得多，因此要生產(chǎn)相同容量的存儲器，DRAM
成本更低，集成度更高。DRAM中的電容結(jié)構(gòu)決定了它的存取速率不如SRAM，尤其是
有關(guān)性能比較，請參閱表 DRAM 和 SRAM 比較。
因此，在實際應(yīng)用中，SRAM通常只用于CPU內(nèi)部的高速緩存（Cache），而外部擴展的顯存
一般使用DRAM。在STM32系統(tǒng)的控制器中，只有型號或更多中間芯片支持?jǐn)U展
SDRAM，其他型號如，等型號只能擴展SRAM。
非易失性存儲器
非易失性存儲器的種類很多，半導(dǎo)體的包括ROM和FLASH，其他的包括光盤、軟盤和機械存儲器。
硬盤。
只讀存儲器
ROM是“”的縮寫，意思是只能讀取的存儲器。由于技術(shù)的發(fā)展，后來設(shè)計了一種可能的
一種方便寫入數(shù)據(jù)的ROM，“”這個名稱被繼承下來，現(xiàn)在通常用來指代
非易失性半導(dǎo)體存儲器，包括前面介紹的FLASH存儲器，也有人將其歸入ROM范疇。
掩模ROM
MASK（掩碼）ROM是純粹的“”，其中存儲的數(shù)據(jù)在出廠時使用
工藝已固化，生產(chǎn)后不可更改。 其主要優(yōu)點是批量生產(chǎn)成本低。目前生產(chǎn)量較大，數(shù)據(jù)不詳。
還有一些應(yīng)用程序需要更改。
（）是一種一次性可編程存儲器。 當(dāng)這些存儲器出廠時，內(nèi)部沒有任何數(shù)據(jù)。 用戶可以使用專用編程器寫入自己的數(shù)據(jù)，但只能寫入一次。 寫入后，其內(nèi)容不可更改。 它通常用于在 NXP 生產(chǎn)的控制器芯片中存儲密鑰。
EPROM
EPROM（ROM）是一種可重寫存儲器，解決了PROM芯片只能寫入一次的問題。 這些存儲器利用紫外線照射芯片內(nèi)部來擦除數(shù)據(jù)，擦除和寫入需要專用設(shè)備。 現(xiàn)在這種存儲基本上已經(jīng)被淘汰和替代了。
(ROM) 是一種電可擦除存儲器。 可以反復(fù)擦除和寫入。 其擦除和寫入由電路直接控制，無需使用外部器件進(jìn)行擦除和寫入。 并且可以以字節(jié)為單位修改數(shù)據(jù)，而無需擦除整個芯片。 目前使用的主要ROM芯片都是這兩種。
閃存
FLASH存儲器也叫閃速存儲器，也是可擦寫存儲器，有的書將FLASH存儲器稱為FLASH
ROM，但其容量通常比ROM大得多，并且擦除時通常以多個字節(jié)為單位。 例如，有些FLASH存儲器采用4096字節(jié)作為一個磁道，最小擦除單位是一個磁道。 根據(jù)存儲單元電路的不同，F(xiàn)LASH存儲器分為和，見表格及特性比較。
NOR和NAND的共同點是在寫入數(shù)據(jù)之前需要進(jìn)行擦除操作，而擦除操作通常是基于“扇區(qū)/塊”
位。 NOR和NAND的特性差異主要在于內(nèi)部“地址/數(shù)據(jù)線”是否分開。
由于NOR的地址線和數(shù)據(jù)線是分離的，因此可以按“字節(jié)”讀寫數(shù)據(jù)，滿足CPU的指令解調(diào)和執(zhí)行要求。
所以如果一條代碼指令存儲在NOR上，CPU就給NOR一個地址，NOR就可以返回一個數(shù)據(jù)給CPU
CPU執(zhí)行，中間不需要額外的處理操作。
并且由于NAND的數(shù)據(jù)線和地址線是共享的，所以只能按照“塊”來讀寫數(shù)據(jù)。 如果代碼指令存儲在NAND上，
CPU給出NAND地址后，未能直接返回該地址處的數(shù)據(jù)，因此不滿足指令解調(diào)要求。 表和特性比較中的最后一項“是否支持XIP”描述了這些立即執(zhí)行特性（）。
如果代碼存儲在NAND上，則可以將其加載到RAM內(nèi)存中，然后由CPU執(zhí)行。所以從功能上來說
認(rèn)為NOR是一種斷電后不丟失數(shù)據(jù)的RAM，但其擦除單元與RAM不同，且讀寫速度比RAM高。
內(nèi)存速度要慢得多。
另外，F(xiàn)LASH的擦除次數(shù)是有限的（目前一般在10萬次左右），當(dāng)其使用接近壽命終點時，
可能會出現(xiàn)寫操作失敗的情況。由于NAND一般是整塊擦除和寫入，如果塊中的一位失敗，則整個塊都會失敗，這稱為
稱為壞塊，但由于擦除過程復(fù)雜，所以NOR塊較少，整體壽命較長。 因為可能存在壞塊，
因此，F(xiàn)LASH存儲器需要“檢測/糾錯（EDC/ECC）”算法來保證數(shù)據(jù)的正確性。
由于兩種FLASH存儲器特性的差異，通常用于代碼存儲場合，例如嵌入式控制器
內(nèi)部程序存儲空間。NAND FLASH通常用于大數(shù)據(jù)存儲的場合，包括SD卡、U盤等
而固態(tài)硬盤等，都是類型。
資料：【野火】庫開發(fā)實用手冊
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